其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測(cè)溫，可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。倒裝LED集成光源支架2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去倒裝LED集成光源支架

因?yàn)?a href="http://www.huawei86.com/product8.html" target="_blank">COB光源使用的是多個(gè)LED晶片直接固在散熱基板上，它與傳統(tǒng)的LED封裝方式不同，因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小。

。而對(duì)于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問(wèn)題(見(jiàn)圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開(kāi)始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來(lái)的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。我認(rèn)為COB光源需要不斷提高性價(jià)比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會(huì)增加，單位面積的功率可以做的更高;其次，LED芯片需要繼續(xù)提高性價(jià)比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定;再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。

倒裝LED集成光源支架MCOB（MuiltiChipsOnBoard），即多杯集成式COB封裝技術(shù)，它是COB封裝工藝的拓展,MCOB封裝是把芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過(guò)程中，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過(guò)測(cè)量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過(guò)程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量，相關(guān)參數(shù)參考表2。，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序.LED芯片光是集中在杯內(nèi)部的，要讓光線更多的跑出來(lái)，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫。

倒裝LED集成光源支架而且大部分的燈具都在外面有一制層亞克力外罩，或者是毛玻璃基本可以達(dá)到我們?nèi)搜劬Φ囊罅说寡bLED集成光源支架。