非常實(shí)用LED燈珠光源，LED集成光源表面損傷或者開裂導(dǎo)致光源無法點(diǎn)亮而死燈 不良原因分析：LED光源使用溫度達(dá)到承受極限導(dǎo)致膠體失

COB封裝“COB光源模塊→LED燈具”，可將多顆芯片直接封裝在金屬基印刷電路板MCPCB，通過基板直接散熱，節(jié)省LED的一次封裝成本、光引擎模組制作成本和二次配光成本。在性能上，通過合理的設(shè)計(jì)和微透鏡模造，COB光源模塊可以有效地避免分立光源器件組合存在的點(diǎn)光、眩光等弊端；還可以通過加入適當(dāng)?shù)募t色芯片組合，有效地提高光源的顯色性。

瞬態(tài)光效是LED光源短時(shí)間的光_電轉(zhuǎn)換特性，它與芯片和熒光粉量子激發(fā)能力、膠體折射率、透光率、支架結(jié)構(gòu)(反光杯)反光率等條件有關(guān)，與芯片結(jié)溫基本無關(guān)。它只有測量對比意義，瞬態(tài)光效不能代表實(shí)際工作狀態(tài)。

特別是在超級計(jì)算機(jī)、大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用中，

作為現(xiàn)代光學(xué)尤其是集成光學(xué)核心部分，高質(zhì)量脈沖與相干激光光源一直以來都是學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界的重要關(guān)注點(diǎn)。在中國科學(xué)院B類戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)“大規(guī)模光子集成芯片”支持下，近日，西安光機(jī)所微納光學(xué)與光子集成團(tuán)隊(duì)在片上集成光源方面取得系列研究進(jìn)展。

現(xiàn)在還是在功能照明階段COB和SMD慢慢去取代HP光源，HP光源目前應(yīng)用在戶外較多，COB還有些需要改進(jìn)的地方，MCOB目前從現(xiàn)有階段來說還不能大面積推廣，其需要強(qiáng)勢的封裝廠家跟光學(xué)件廠家全面合作，推出比目前COB+光學(xué)件（鋁或PMMA村料等），目前來說COB光源的尺寸通用性還沒有完全規(guī)范，MCOB的全面應(yīng)用還需要一個(gè)時(shí)間問題。

產(chǎn)品達(dá)上百種。產(chǎn)品功率范圍從0.5W到100W，光效達(dá)到130Lm/W，零光衰做到了2000小時(shí)；深圳高飛捷科技的LED封裝 貼片產(chǎn)品顏色多樣，

led燈就是以發(fā)光二極管為光源的燈，led是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。led是作為繼白熾燈、熒光燈后的第三代照明技術(shù)，具有節(jié)能、環(huán)保、安全可靠的特點(diǎn)。

為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。